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Dossier : Eprom tout savoir
RetourVpp : Voltage peak-to-peak ou Voltage crête à crête (différence entre le maximum et minimum), tension électrique utile lors de l'écriture d'une EPROM.
Kword : Souvent les fabricants parlent en Kword dans son datasheet, il faut savoir que 1Ko = 500word, soit un chip de 128Ko = 64Kword.
Attention toutefois, le constructeur précise également si le word est codé sur 8 ou 16bits. En effet 64Kword (8bits par word) fait 64Ko, mais 64Kword (16bits par word) fait 128Ko.
Ici sur BOG, pour simplifier, on parlera uniquement en Ko.
Kb : Kilo Bytes = Ko
La mémoire EPROM 27xxx est à l'origine une mémoire de type/technologie NMOS (on la trouve surtout dans les vieux Flipper). Elle requiert au moins une tension de programmation Vpp de 25V pour être écrite... Malheureusement la plupart des programmateurs modernes ne sont pas/plus forcement compatibles avec une tension aussi élevée de programmation.
Pour cela il existe les EPROM 27Cxxx, où la lettre 'C' signifie technologie CMOS. Parfaitement compatible avec les anciennes NMOS, exploitant une tension Vpp de 12.5V/13V lors de la phase d'écriture.
Toutes les mémoires EPROM s'effacent en soumettant la petite fenêtre au sommet du chip à un puissant/intense rayonnement d'UV durant une certaine période, variable selon la taille (en octet) mémoire de l'EPROM. Celle-ci est composée en quartz (le verre ayant un indice de réfraction de la lumière plus contraignant, de plus le verre présente la particularité d'absorber les UVB).
Vous aurez besoin d'un effaceur d'EPROM pour ce faire, car contrairement à la légende urbaine, même laissé en plein soleil d'été, votre EPROM ne s'effacera pas.
Les mémoires EPROM sont aussi définies par leurs latences exprimées en ns (nanoseconde), généralement inscrit avec le nom de l'EPROM (ex: 27C010-10 ou -10 signifie 100ns). Allant de 50ns pour les modèles plus rapides à 200ns pour les plus lentes.
Inscriptions courantes :
-55 pour 55ns
-70 pour 70ns
-90 pour 90ns
-10 ou -100 pour 100ns
-12 ou -120 pour 120ns
-15 ou -150 pour 150ns
-20 ou -200 pour 200ns
Il ne faut pas confondre une EPROM avec une autre mémoire non volatile effacable EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), s'effacant uniquement par le programmateur électriquement.
Important : Pour pouvoir être écrite ou réécrite, une EPROM doit être complètement effacée au préalable.
128 kilobit / 16ko / 8 bits :
28 pins DIP
→ 27c128 Datasheet
256 kilobit / 32ko / 8 bits :
28 pins DIP
→ 27c256 Datasheet
512 kilobit / 64ko / 8 bits :
28 pins DIP
→ 27c512 Datasheet
1 Megabit / 128ko / 8 bits :
32 pins DIP (JEDEC)
→ 27c1001Datasheet
→ 27c010 Datasheet
1 Megabit / 128ko / 8 bits :
32 pins DIP (Non-JEDEC, généralement compatible Maskrom d'origine, pinout différent du 27C1001/27C010)
→ 27c1000 Datasheet
→ 27c301 Datasheet
1 Megabit / 128ko / 16 bits :
40 pins DIP
→ 27c1024 Datasheet
→ 27c210 Datasheet
2 Megabit / 256ko / 8 bits :
32 pins DIP
→ 27c020 Datasheet
→ 27c2001 Datasheet
4 Megabit / 512ko / 8 bits :
32 pins DIP
→ 27c040 Datasheet
→ 27c4001Datasheet
4 Megabit / 512ko / 8 bits ou 256ko / 16 bits :
40 pins DIP
→ 27c400 Datasheet
→ 27c402 Datasheet
4 Megabit / 512ko / 16 bits :
40 pins DIP
→ 27c240 Datasheet
→ 27c4002 Datasheet
→ 27c4096 Datasheet
8 Megabit / 1024ko ou 1Mo / 8 bits :
32 pins DIP
→ 27c080 Datasheet
→ 27c801 Datasheet
8 Megabit / 1024ko ou 1Mo / 8 bits ou 512ko / 16 bits:
42 pins DIP
→ 27c800 Datasheet
16 Megabit / 2048ko ou 2Mo / 8 bits ou 1Mo / 16 bits:
42 pins DIP
→ 27c160 Datasheet
32 Megabit / 4096ko ou 4Mo / 8 bits ou 2Mo / 16 bits:
42 pins DIP
→ 27c322 Datasheet
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